据了解,由于具有原子级厚度及独特的能带结构,二维半导体材料在光电器件应用领域展现出独特的优势。然而,二维材料通常光吸收较弱,且在光电转换过程中,一个入射光子只能激发一个电子—空穴对,导致器件的光探测能力不高,因此提高光增益性以提高探测灵敏度一直是研究的热点问题。