MOS管在承受过大电流时，由于电流过载，导致芯片内部的温度急剧升高，使得芯片内部的结构和联系因热应力而出现微小的损坏，这些微小的损坏会使得MOS管的电压突然反转，出现尖峰电压。

另外，在MOS管关断时，由于管子内部的电荷和电感的存在，电流并不会立即停止流动，而是会产生过渡过程，这个过渡过程就是电流快速变化，从而导致尖峰电压的问题。

尖峰电压一般会对MOS管产生较大的冲击，对于一些灵敏的电子元件会产生瞬间的损坏，因此，在使用MOS管的过程中，需要注意控制电压和电流，以避免MOS管因为电流过载而导致尖峰电压的问题。同时也要注意在设计电路时，为MOS管添加合适的保护电路，以减小尖峰电压对电路的损害。

尖峰电压不是mos管本身产生的，是电感产生的，关断时电感上的电流不能突变，就会产生反峰电压，一般是用并联电阻和电容组成消除反峰电路。

当MOS管过大电流时，会导致电流饱和区域内的电压降增加，这是由于电流过大时，MOS管内的通道电阻会增加，导致电压降增加。当电流达到一定程度时，当导通的MOS管关断时，会产生一个尖峰电压，这是由于通道电流瞬间中断，导致快速变化的电压。这种尖峰电压可以产生很高的峰值，可能会损坏MOS管或其他电路元件。为了避免这种情况发生，可以采取一些保护措施，如使用瞬变电压抑制器（TVS）器件来限制电压峰值，或者使用电流限制器来限制过大的电流。